當(dāng)前位置:深圳市中圖儀器股份有限公司>>半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)檢測(cè)設(shè)備>>晶圓形貌測(cè)量系統(tǒng)>> WD4000半導(dǎo)體晶圓粗糙度表面形貌測(cè)量設(shè)備
中圖儀器WD4000半導(dǎo)體晶圓粗糙度表面形貌測(cè)量設(shè)備通過(guò)非接觸測(cè)量,,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,,TTV,,BOW、WARP,、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷,。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù),可實(shí)現(xiàn)Wafer厚度,、翹曲度,、平面度、線粗糙度,、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D,、3D參數(shù)。
測(cè)量功能
1,、厚度測(cè)量模塊:厚度,、TTV(總體厚度變化)、LTV,、BOW,、WARP、TIR,、SORI,、平面度、等,;
2,、顯微形貌測(cè)量模塊:粗糙度、平整度,、微觀幾何輪廓,、面積、體積等,。
3,、提供調(diào)整位置,、糾正、濾波,、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能,。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能,;糾正包括空間濾波,、修描、尖峰去噪等功能,;濾波包括去除外形,、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過(guò)濾頻譜等功能,;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能,。
4、提供幾何輪廓分析,、粗糙度分析,、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析,、功能分析等五大分析功能,。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離,、角度,、曲率等特征測(cè)量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等,;粗糙度分析包括國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度,、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù),;結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷,。
WD4000半導(dǎo)體晶圓粗糙度表面形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度,、三維形貌,、單層膜厚、多層膜厚,。
1,、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV,、LTV,、BOW、WARP,、TIR,、SORI等參數(shù),,同時(shí)生成Mapping圖;
2,、采用白光干涉測(cè)量技術(shù)對(duì)Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像,,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌,、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù),;
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,,通過(guò)數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算,,達(dá)到亞納米分辨率測(cè)量表面的局部高度,實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能,;
4,、紅外傳感器發(fā)出的探測(cè)光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計(jì)算出兩表面間的距離(即厚度),,可適用于測(cè)量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測(cè)量不同材料的厚度,,包括碳化硅,、藍(lán)寶石、氮化鎵,、硅等,。
WD4000可實(shí)現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵,、磷化鎵,、鍺、磷化銦,、鈮酸鋰,、藍(lán)寶石、硅,、碳化硅,、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測(cè)。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1,、非接觸厚度,、三維維納形貌一體測(cè)量
集成厚度測(cè)量模組和三維形貌、粗糙度測(cè)量模組,,使用一臺(tái)機(jī)器便可完成厚度,、TTV、LTV,、BOW,、WARP,、粗糙度、及三維形貌的測(cè)量,。
2,、高精度厚度測(cè)量技術(shù)
(1)采用高分辨率光譜共焦對(duì)射技術(shù)對(duì)Wafer進(jìn)行高效掃描。
(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤(pán),,晶圓規(guī)格最大可支持至12寸,。
(3)采用Mapping跟隨技術(shù),可編程包含多點(diǎn),、線,、面的自動(dòng)測(cè)量。
3,、高精度三維形貌測(cè)量技術(shù)
(1)采用光學(xué)白光干涉技術(shù),、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm,;
(2)隔振設(shè)計(jì)降低地面振動(dòng)和空氣聲波振動(dòng)噪聲,,獲得高測(cè)量重復(fù)性。
(3)機(jī)器視覺(jué)技術(shù)檢測(cè)圖像Mark點(diǎn),,虛擬夾具擺正樣品,,可對(duì)多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動(dòng)化連續(xù)測(cè)量。
4,、大行程高速龍門(mén)結(jié)構(gòu)平臺(tái)
(1)大行程龍門(mén)結(jié)構(gòu)(400x400x75mm),,移動(dòng)速度500mm/s。
(2)高精度花崗巖基座和橫梁,,整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,、可靠。
(3)關(guān)鍵運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引,、AC伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動(dòng),,搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),保證設(shè)備的高精度,、高效率,。
5、操作簡(jiǎn)單,、輕松無(wú)憂
(1)集成XYZ三個(gè)方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,,可快速完成載物臺(tái)平移、Z向聚焦等測(cè)量前準(zhǔn)工作,。
(2)具備雙重防撞設(shè)計(jì),,避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測(cè)物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。
(3)具備電動(dòng)物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡(jiǎn)單,。
應(yīng)用場(chǎng)景
1,、無(wú)圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量
通過(guò)非接觸測(cè)量,,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,、粗糙度,、總體厚度變化(TTV),有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性,。
2,、無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量
Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來(lái)反饋加工質(zhì)量,。在生產(chǎn)車(chē)間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片,,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm,,測(cè)量穩(wěn)定性良好,。
部分技術(shù)規(guī)格
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號(hào) | WD4000系列 |
測(cè)量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變化),、BOW,、WARP、LTV,、粗糙度等 |
可測(cè)材料 | 砷化鎵、氮化鎵,、磷化鎵,、鍺、磷化銦,、 鈮酸鋰,、藍(lán)寶石、硅,、碳化硅,、氮化鎵、玻璃,、外延材料等 |
厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng) | |
可測(cè)材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測(cè)量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃,、米字、自由多點(diǎn) |
測(cè)量參數(shù) | 厚度,、TTV(總體厚度變 化),、LTV、BOW,、WARP,、平面度,、線粗糙度 |
三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng) | |
測(cè)量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X,、20X,、50X,可選多個(gè)) |
可測(cè)樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復(fù)性 | 0.005nm |
測(cè)量參數(shù) | 顯微形貌 ,、線/面粗糙度,、空間頻率等三大類(lèi)300余種參數(shù) |
膜厚測(cè)量系統(tǒng) | |
測(cè)量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測(cè)厚度 | 0.4um |
紅外干涉測(cè)量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測(cè)量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4",、6",、8",、12" |
晶圓載臺(tái) | 防靜電鏤空真空吸盤(pán)載臺(tái) |
X/Y/Z工作臺(tái)行程 | 400mm/400mm/75mm |
懇請(qǐng)注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的需要,,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,,恕不另行通知,,不便之處敬請(qǐng)諒解,。
如有疑問(wèn)或需要更多詳細(xì)信息,,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢(xún)。